SK hynix 9 月 28 日公布在 TSMC Open Innovation Platform Conference 的技術展示，主軸涵蓋 HBM、DRAM 與企業 SSD 等下一代 AI 記憶體產品。公司強調，AI 加速器的設計已無法把邏輯、記憶體與先進封裝分開最佳化，供應商必須從早期設計階段共同驗證。
此次 SK hynix 連續第二年獲得 TSMC Partner of the Year，2026 年在「3DFabric-HBM Integration」類別獲獎，官方指出合作重點包含以 TSMC CoWoS 先進封裝驗證 HBM5，為下一代 AI 系統建立整合基礎。
在儲存端，SK hynix 也說明 PCIe 在 HPC 與 AI 儲存中的演進，包含從第六代開始更重視功耗最佳化，以及把傳統單一控制器拆分成透過 UCIe 連接的 chiplet 設計。公司認為這種方式可縮短開發時間，讓不同功能分別升級並提升容量與電力效率。
官方把 NVIDIA Vera Rubin 等下一代 AI 平台視為高頻寬記憶體與儲存需求的重要驅動因素，但並未在這篇公告中公布 HBM5 的量產價格、完整客戶清單或所有新 SSD 的上市時程，因此相關商業進度仍需後續確認。
發生了什麼事
SK hynix 在 TSMC OIP Conference 公開 AI 記憶體與儲存技術布局，並以 HBM5、CoWoS 合作再次獲得 TSMC 年度夥伴獎。
為什麼重要
HBM 與先進封裝已成為 AI 加速器效能與產能的關鍵環節，記憶體供應商與晶圓代工廠從設計早期協作，會直接影響新平台的頻寬、功耗與量產速度。
影響哪些人
AI GPU 與加速器業者、資料中心、伺服器與企業 SSD 供應鏈，以及追蹤 HBM5 與 CoWoS 產業進度的硬體市場最直接受影響。
已確認與未確認
已確認 SK hynix 的 HBM5-CoWoS 協作、連續第二年獲獎與 PCIe/SSD 技術方向；具體量產數量、價格、客戶採用時程仍未完整公布。